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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > NVMFD5C650NLWFT1G
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1342324Immagine NVMFD5C650NLWFT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5C650NLWFT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVMFD5C650NLWFT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVMFD5C650NLWFT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 98µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Potenza - Max
    3.5W (Ta), 125W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    NVMFD5C650NLWFT1G-ND
    NVMFD5C650NLWFT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    50 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2546pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    21A (Ta), 111A (Tc)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL

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