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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVMFS5C638NLWFT1G
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696229Immagine NVMFS5C638NLWFT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5C638NLWFT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVMFS5C638NLWFT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    NVMFS5C638NLWFT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    4W (Ta), 100W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    44 Weeks
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2880pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    40.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    26A (Ta), 133A (Tc)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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