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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVMFS5C670NLAFT1G
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416433Immagine NVMFS5C670NLAFT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5C670NLAFT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVMFS5C670NLAFT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVMFS5C670NLAFT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 53µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.1 mOhm @ 35A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    61W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 17A (Ta) 61W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    17A (Ta)

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