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RFD16N05LSM9A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RFD16N05LSM9A
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RFD16N05LSM9A.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252AA
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    47 mOhm @ 16A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    60W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    RFD16N05LSM9ATR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 50V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

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