RFD3055LE

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Specifiche

Modello di prodotti

RFD3055LE
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RFD3055LE.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251AA
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

107 mOhm @ 8A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Notizie correlate
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