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RHRD660S9A-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RHRD660S9A-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RHRD660S9A-F085.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.1V @ 6A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252AA
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    RHRD660S9A-F085TR
    RHRD660S9A_F085
    RHRD660S9A_F085TR
    RHRD660S9A_F085TR-ND
    RHRD660S9AF085
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    100µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    6A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    RHRD660S9

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Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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