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4795815Immagine SI4542DY.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SI4542DY

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4542DY
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4542DY.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    28 mOhm @ 6A, 10V
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4542DYCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    830pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A 1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Numero di parte base
    SI4542D

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