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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > SMMBTA42LT1G

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Immagine SMMBTA42LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBTA42LT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

SMMBTA42LT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 300V 0.5A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SMMBTA42LT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

300V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potenza - Max

225mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

SMMBTA42LT1G-ND
SMMBTA42LT1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

50MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

500mA
Numero di parte base

MMBTA42

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