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50545Immagine ALD1101BPAL.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD1101BPAL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ALD1101BPAL
  • Costruttore / Marca
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ALD1101BPAL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 10µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PDIP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 Ohm @ 5V
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    10.6V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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