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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > AS4C16M32MSA-6BINTR
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1720011Immagine AS4C16M32MSA-6BINTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BINTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AS4C16M32MSA-6BINTR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    90-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1G8MD3L-12BCN

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
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