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6671767Immagine AS4C32M16D1-5TIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5TIN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AS4C32M16D1-5TIN
  • Costruttore / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    AS4C32M16D1-5TIN.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    1450-1150-5
    AS4C32M16D1-5TIN-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    700ps

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