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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > AS4C64M16D3B-12BCN
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5041433Immagine AS4C64M16D3B-12BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M16D3B-12BCN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AS4C64M16D3B-12BCN
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (13x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz
  • Tempo di accesso
    20ns
AS4C64M16D3B-12BANTR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
AS4C64M16D3-12BIN

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