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176186Immagine AS4C64M8D3-12BIN.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3-12BIN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AS4C64M8D3-12BIN
  • Costruttore / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.AS4C64M8D3-12BIN.pdf
    2.AS4C64M8D3-12BIN.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Contenitore dispositivo fornitore
    78-FBGA (8x10.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    78-VFBGA
  • Altri nomi
    1450-1430
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz
  • Tempo di accesso
    20ns

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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D3-12BINTR

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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
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AS4C64M8D2-25BAN

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M8D2-25BCN

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