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4520675Immagine AS4C8M32S-7BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-7BCN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AS4C8M32S-7BCN
  • Costruttore / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    2ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-TFBGA
  • Altri nomi
    1450-1016
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    143MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns

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Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Alliance Memory, Inc.
In magazzino
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Produttori: Alliance Memory, Inc.
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Descrizione: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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