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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > AOD522P

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Immagine AOD522P.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOD522P

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Specifiche

Modello di prodotti

AOD522P
Costruttore / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 17A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

AOD522P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

AlphaMOS
Rds On (max) a Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 53W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 17A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 46A (Tc)

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