AON6413_101

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Specifiche

Modello di prodotti

AON6413_101
Costruttore / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-DFN-EP (5x6)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

6.2W (Ta), 48W (Tc)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2142pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 22A (Ta), 32A (Tc) 6.2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 32A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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AON6410

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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