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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > AOP607
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764077Immagine AOP607.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOP607

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AOP607
  • Costruttore / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    AOP607.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PDIP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    56 mOhm @ 4.7A, 10V
  • Potenza - Max
    2.5W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Altri nomi
    785-1141-1
    785-1141-1-ND
    785-1141-2
    785-1141-2-ND
    785-1141-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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