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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF6G10LS-200RN:11
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6332629Immagine BLF6G10LS-200RN:11.Ampleon

BLF6G10LS-200RN:11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BLF6G10LS-200RN:11
  • Costruttore / Marca
    Ampleon
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BLF6G10LS-200RN:11.pdf
  • Tensione - Prova
    28V
  • Tensione - nominale
    65V
  • Tipo transistor
    LDMOS
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT502B
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    40W
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    SOT-502B
  • Altri nomi
    568-8638
    934063255112
    BLF6G10LS-200RN:11-ND
    BLF6G10LS200RN11
  • Figura di rumore
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    20dB
  • Frequenza
    871.5MHz ~ 891.5MHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W SOT502B
  • Valutazione attuale
    49A
  • Corrente - Test
    1.4A
  • Numero di parte base
    BLF6G10

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