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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > NE3210S01
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NE3210S01

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NE3210S01
  • Costruttore / Marca
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    FET RF 4V 12GHZ S01
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NE3210S01.pdf
  • Tensione - Prova
    2V
  • Tensione - nominale
    4V
  • Tipo transistor
    HFET
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMD
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    -
  • imballaggio
    Strip
  • Contenitore / involucro
    4-SMD
  • Figura di rumore
    0.35dB
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    13.5dB
  • Frequenza
    12GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD
  • Valutazione attuale
    15mA
  • Corrente - Test
    10mA

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Descrizione: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

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