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BDW83B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BDW83B
  • Costruttore / Marca
    Central Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER TRANSISTOR NPN TO218
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BDW83B.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    -
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-218
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    130W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-218-3
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    750 @ 6A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    15A

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