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CP647-MJ11013-WS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CP647-MJ11013-WS
  • Costruttore / Marca
    Central Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    CP647-MJ11013-WS.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    90V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    4V @ 300mA, 30A
  • Tipo transistor
    PNP - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Die
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90V 30A Surface Mount Die
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 30A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30A

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