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4456916Immagine CTLDM303N-M832DS TR.Central Semiconductor

CTLDM303N-M832DS TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CTLDM303N-M832DS TR
  • Costruttore / Marca
    Central Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CTLDM303N-M832DS TR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TLM832DS
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.65W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-TDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    CTLDM303N-M832DS DKR
    CTLDM303N-M832DS DKR-ND
    CTLDM303N-M832DSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.6A

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