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565636Immagine CDBJSC5650-G.Comchip Technology

CDBJSC5650-G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CDBJSC5650-G
  • Costruttore / Marca
    Comchip Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CDBJSC5650-G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 5A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • Contenitore / involucro
    TO-220-2 Full Pack
  • Altri nomi
    641-1940
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A (DC) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    100µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    5A (DC)
  • Capacità a Vr, F
    430pF @ 0V, 1MHz

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