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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > C3M0065100J
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2971974Immagine C3M0065100J.Cree Wolfspeed

C3M0065100J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    C3M0065100J
  • Costruttore / Marca
    Wolfspeed
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    C3M0065100J.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Tecnologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK-7
  • Serie
    C3M™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    78 mOhm @ 20A, 15V
  • Dissipazione di potenza (max)
    113.5W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    660pF @ 600V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 15V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

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