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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY14B101NA-ZS25XI
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3841026Immagine CY14B101NA-ZS25XI.Cypress Semiconductor

CY14B101NA-ZS25XI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14B101NA-ZS25XI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY14B101NA-ZS25XI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    428-3397
    CY14B101NA-ZS25XI-ND
    CY14B101NAZS25XI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    9 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II
  • Numero di parte base
    CY14B101
  • Tempo di accesso
    25ns

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Pagamento
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