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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY14B104L-ZS20XC
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4517371Immagine CY14B104L-ZS20XC.Cypress Semiconductor

CY14B104L-ZS20XC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14B104L-ZS20XC
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    20ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 20ns 44-TSOP II
  • Numero di parte base
    CY14B104
  • Tempo di accesso
    20ns
CY14B104L-BA45XCT

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Descrizione: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-BA45XI

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CY14B104L-BA25XI

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CY14B104L-ZS25XCT

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Descrizione: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-ZS20XI

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-ZS45XI

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY14B104L-ZS20XIT

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CY14B104L-ZS45XC

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CY14B104L-ZS45XCT

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CY14B104L-ZS25XI

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CY14B104L-BA20XI

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CY14B104L-BA25XC

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CY14B104L-ZS25XC

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Descrizione: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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CY14B104L-ZS20XCT

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CY14B104L-BA20XIT

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CY14B104L-BA45XIT

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