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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY14B104NA-ZS20XI
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6192329Immagine CY14B104NA-ZS20XI.Cypress Semiconductor

CY14B104NA-ZS20XI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14B104NA-ZS20XI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY14B104NA-ZS20XI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    20ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    428-4432
    CY14B104NA-ZS20XI-ND
    CY14B104NAZS20XI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 44-TSOP II
  • Numero di parte base
    CY14B104
  • Tempo di accesso
    20ns

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