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73608Immagine CY14E256L-SZ25XI.Cypress Semiconductor

CY14E256L-SZ25XI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14E256L-SZ25XI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY14E256L-SZ25XI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    32-SOIC
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 25ns 32-SOIC
  • Numero di parte base
    CY14*256
  • Tempo di accesso
    25ns

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