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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY62147GE-45ZSXI
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6541541Immagine CY62147GE-45ZSXI.Cypress Semiconductor

CY62147GE-45ZSXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY62147GE-45ZSXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY62147GE-45ZSXI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    45ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    MoBL®
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II
  • Tempo di accesso
    45ns

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Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 4M PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 4M PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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