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2365736Immagine CY7C1321KV18-333BZC.Cypress Semiconductor

CY7C1321KV18-333BZC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1321KV18-333BZC
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    CY7C1321KV18-333BZC.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • Altri nomi
    CY7C1321KV18333BZC
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 333MHz 165-FBGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    333MHz
  • Numero di parte base
    CY7C1321

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In magazzino
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