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6503747Immagine CY7C1380DV33-200BZI.Cypress Semiconductor

CY7C1380DV33-200BZI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1380DV33-200BZI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    CY7C1380DV33-200BZI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • Altri nomi
    CY7C1380DV33200BZI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-FBGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    CY7C1380
  • Tempo di accesso
    3ns

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1380KV33-167BZI

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1380D-167AXCT

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1380D-167AXIT

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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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