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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C2265KV18-400BZXI
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6949053Immagine CY7C2265KV18-400BZXI.Cypress Semiconductor

CY7C2265KV18-400BZXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C2265KV18-400BZXI
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    36Mb (1M x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 400MHz 165-FBGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
CY7C2265KV18-550BZXC

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Descrizione: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C2268XV18-633BZXC

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CY7C2263XV18-633BZXC

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CY7C2265XV18-600BZXC

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CY7C2263KV18-450BZXI

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CY7C2245KV18-450BZXI

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