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542270Immagine CYD18S72V18-200BGXI.Cypress Semiconductor

CYD18S72V18-200BGXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CYD18S72V18-200BGXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CYD18S72V18-200BGXI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    484-FBGA (23x23)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    484-FBGA
  • Altri nomi
    428-3291
    CYD18S72V18-200BGXI-ND
    CYD18S72V18200BGXI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (256K x 72)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.3ns 484-FBGA (23x23)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    CYD18S72
  • Tempo di accesso
    3.3ns

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