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2266159Immagine CYDD09S36V18-200BBXC.Cypress Semiconductor

CYDD09S36V18-200BBXC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CYDD09S36V18-200BBXC
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CYDD09S36V18-200BBXC.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    256-FBGA (17x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    256-LBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (128K x 36 x 2)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 36 x 2) Parallel 200MHz 500ps 256-FBGA (17x17)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    CYDD
  • Tempo di accesso
    500ps

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