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1461337Immagine IS29GL512S-11DHV013.Cypress Semiconductor

IS29GL512S-11DHV013

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS29GL512S-11DHV013
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    60ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    64-Fortified BGA (9x9)
  • Serie
    GL-S
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    64-LBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9)
  • Tempo di accesso
    110ns
IS29GL512S-11DHB010

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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IS29GL512S-11TFV01

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Produttori: Cypress Semiconductor
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IS29GL512S-11DHV023

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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IS29GL512S-11DHV020

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IS29GL512S-11TFV02

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IS29GL512S-11TFV013

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IS29GL512S-11DHB013

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