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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > S26KS512SDABHV030
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4880672Immagine S26KS512SDABHV030.Cypress Semiconductor

S26KS512SDABHV030

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S26KS512SDABHV030
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    24-FBGA (6x8)
  • Serie
    HyperFlash™ KS
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    24-VBGA
  • Altri nomi
    428-3736
    S26KS512SDABHV030-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
  • Frequenza dell'orologio
    100MHz
  • Tempo di accesso
    96ns
S26KS512SDGBHB030

S26KS512SDGBHB030

Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDPBHM023

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

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S26KS256SDPBHN020

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Descrizione: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDGBHN030

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHI030

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHN030

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S26KS512SDPBHI020

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S26KS256SDPBHV020

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S26KS512SDPBHA020

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S26KS512SDGBHA030

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 133MHZ

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S26KS256SDPBHI020

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S26KS512SDABHB030

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S26KS512SDPBHB020

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S26KS512SDABHM030

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S26KS512SDABHA030

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S26KS512SDPBHA023

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S26KS512SDGBHV030

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