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217309Immagine S27KS0641DPBHI020.Cypress Semiconductor

S27KS0641DPBHI020

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S27KS0641DPBHI020
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S27KS0641DPBHI020.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    DRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    24-BGA (6x8)
  • Serie
    HyperRAM™
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    24-TBGA
  • Altri nomi
    428-3858
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    40ns

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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S27KS0641DPBHA020

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
RFQ
S27KL0641DABHI030

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Descrizione: IC 64 MB FLASH MEMORY

Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC NOR

Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC 64 MB FLASH MEMORY

Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ

Produttori: Cypress Semiconductor
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