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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > S29GL512S10DHSS23
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4825770Immagine S29GL512S10DHSS23.Cypress Semiconductor

S29GL512S10DHSS23

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S29GL512S10DHSS23
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    60ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    64-Fortified BGA (9x9)
  • Serie
    GL-S
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    64-LBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 64-Fortified BGA (9x9)
  • Tempo di accesso
    100ns
S29GL512S10DHSS60

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S10DHSS40

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S10DHSS63

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S10DHA010

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S29GL512S10DHSS50

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S29GL512S10DHA020

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S29GL512S10DHSS13

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S29GL512S10FAI020

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S29GL512S10DHSS43

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S29GL512S10DHA023

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S29GL512S10DHSS20

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S29GL512S10DHI013

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S29GL512S10FAI023

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S29GL512S10FAI013

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S29GL512S10DHSS33

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S29GL512S10DHSS30

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S29GL512S10DHI020

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S29GL512S10DHSS10

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