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S29WS512R0SBHW200

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S29WS512R0SBHW200
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S29WS512R0SBHW200.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    60ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Serie
    WS-R
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 104MHz 80ns
  • Frequenza dell'orologio
    104MHz
  • Tempo di accesso
    80ns

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Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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S29WS512R0SBHW200E

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
RFQ
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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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