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4367044Immagine S34MS01G200BHV003.Cypress Semiconductor

S34MS01G200BHV003

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S34MS01G200BHV003
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S34MS01G200BHV003.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    45ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND
  • Contenitore dispositivo fornitore
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    MS-2
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    63-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • Tempo di accesso
    45ns

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S34MS01G200BHV000

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Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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S34MS01G200GHI003

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Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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RFQ
S34MS01G200TFB000

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Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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S34MS01G104BHV013

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S34MS01G200BHI903

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Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA

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