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S71KL512SC0BHB003

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S71KL512SC0BHB003
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH RAM 512MIT PARALLEL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S71KL512SC0BHB003.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH, DRAM
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mbit Flash, 64Mbit RAM
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH, RAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH, DRAM Memory IC 512Mbit Flash, 64Mbit RAM Parallel 100MHz
  • Frequenza dell'orologio
    100MHz

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Pagamento
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