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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4001G-T
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2320136Immagine 1N4001G-T.Diodes Incorporated

1N4001G-T

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4001G-T
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N4001G-T.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    50V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-41
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Altri nomi
    1N4001G
    1N4001GDITR
    1N4001GT
    1N4001GTR
    1N4001GTR-ND
    IN4001G-T
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 50V 1A Through Hole DO-41
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N4001

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Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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