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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > APT13003EU-G1
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5579471Immagine APT13003EU-G1.Diodes Incorporated

APT13003EU-G1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT13003EU-G1
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 465V 1.5A TO126
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT13003EU-G1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    465V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 250mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-126
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    20W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    APT13003EU-G1DI
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    4MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 465V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-126
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    13 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1.5A

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Pagamento
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Produttori: Diodes Incorporated
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Produttori: Microsemi
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