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4107028Immagine DDA113TU-7-F.Diodes Incorporated

DDA113TU-7-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DDA113TU-7-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DDA113TU-7-F.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    DDA113TU-7-FDICT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
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