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661599Immagine DGD2108S8-13.Diodes Incorporated

DGD2108S8-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DGD2108S8-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DGD2108S8-13.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    10 V ~ 20 V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    100ns, 35ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    DGD2108S8-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Frequenza di ingresso
    2
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Tensione logica - VIL, VIH
    0.6V, 2.5V
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Non-Inverting
  • Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)
    600V
  • Tipo di porta
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • Configurazione guidata
    Half-Bridge
  • Descrizione dettagliata
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
  • Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)
    290mA, 600mA
  • Base-Emitter Tensione di saturazione (max)
    Independent

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