Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > DMG4511SK4-13
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
3185856

DMG4511SK4-13

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$0.92
10+
$0.804
100+
$0.62
500+
$0.46
1000+
$0.368
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG4511SK4-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG4511SK4-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252-4L
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 8A, 10V
  • Potenza - Max
    1.54W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Altri nomi
    DMG4511SK4-13DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel, Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    35V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.3A, 5A
  • Numero di parte base
    DMG4511

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMG4511SK4-13".
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Descrizione: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Descrizione: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Descrizione: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.