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4497758Immagine DMG9933USD-13.Diodes Incorporated

DMG9933USD-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG9933USD-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG9933USD-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.15W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    DMG9933USD-13DI
    DMG9933USD-13DI-ND
    DMG9933USD-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    608.4pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.6A 1.15W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.6A

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