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1528107Immagine DMN62D1LFB-7B.Diodes Incorporated

DMN62D1LFB-7B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN62D1LFB-7B
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN62D1LFB-7B.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X1-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-UFDFN
  • Altri nomi
    DMN62D1LFB-7BDICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    64pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    320mA (Ta)

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