DMS3014SSS-13

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Specifiche

Modello di prodotti

DMS3014SSS-13
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

DMS3014SSS-13.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

13 mOhm @ 10.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.55W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

DMS3014SSS-13DICT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2296pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

45.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A (Ta)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMS3014SSS-13".

DMS2220LFW-7

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN

Produttori: Diodes Incorporated

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