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6272002Immagine DMT36M1LPS-13.Diodes Incorporated

DMT36M1LPS-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT36M1LPS-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT36M1LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerDI5060-8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.6W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    DMT36M1LPS-13DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1155pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    16.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

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